硅外延表面雾缺陷的研究

本文对金属及多种杂质的存在与硅外延片缺陷的相关性进行了分析,同时也给出了解决方法。1.硅晶片的缺陷在外延加工过程中,受衬底及外延工艺条件,系统设置等的影响,外延后会出现各种外延缺陷。外延缺陷的存在,使晶体排列规律发生改变,晶格不完整,造成器件漏电,功能异常。按照外延缺陷在外延层的位置可分为两大类:一类是在表面的外延缺陷,也叫宏观缺陷,一般都可以通过强光灯目视及金相显微镜看到,如亮点,塌边,角体锥,圆锥体、月牙、鱼尾、橘皮,雾状表面等;另一类是存在外延层内部的晶格结构缺陷,也叫微观缺陷,如层错、滑移线、位错、高阻夹层等。其中雾状表面是一种存在于外延层表面,呈现雾状的晶体缺陷。经过化学腐蚀显示后目视直接观察到,如果在显微镜下观察则是一些小的腐蚀坑缺陷。雾状表面是因为腐蚀坑的漫散射作用,在强光灯下观察缺陷呈白雾状,这种缺陷在外延表面有时呈弥散状,有时呈局部雾斑,严重时覆盖外延片整个表面。<111>面上,这些缺陷呈浅正三角形平底 ...